深圳市時代進取實業(yè)有限公司
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? 硬盤
MD3400：最多十二(12)個3.5" SAS、近線SAS、固態(tài)硬盤、SED
MD3420：最多二十四(24)個2.5" SAS、近線SAS、固態(tài)硬盤、SED
MD3460：最多六十(60)個2.5"或3.5" SAS、近線SAS、固態(tài)硬盤、SED
MD3400
3.5" -- 15,000 RPM SAS硬盤，容量規(guī)格為300 GB、450 GB1和600 GB1
3.5" -- 7,200 RPM近線SAS硬盤，容量規(guī)格為500 GB、1
TB1、2 TB1、3 TB1、4 TB1、6 TB和8 TB
3.5" -- 10,000 RPM SAS，容量規(guī)格為600 GB
固態(tài)硬盤(SSD)，容量規(guī)格為200
GB、400 GB、800 GB (WI)；400 GB、800 GB、1.6 TB (MU)；800 GB、1.6 TB (RI)（裝在3.5"硬盤托架中）
MD3420
2.5" -- 15,000 RPM SAS硬盤，容量規(guī)格為300
GB1
2.5" -- 10,000 RPM SAS硬盤，容量規(guī)格為146 GB、300
GB1、600 GB1、900 GB1、1.2 TB1和1.8 TB
2.5" -- 7,200 RPM近線SAS硬盤，容量規(guī)格為500
GB1、1 TB1和2 TB
2.5" -- 固態(tài)硬盤，容量規(guī)格為200 GB、400 GB、800
GB (WI)；400 GB、800 GB、1.6 TB (MU)；800 GB、1.6 TB (RI)
MD3460
3.5" -- 7,200 RPM近線SAS硬盤，容量規(guī)格為500 GB、1 TB1、2 TB1、3 TB1、4 TB1、6 TB和8 TB
2.5" -- 15,000 RPM SAS硬盤，容量規(guī)格為300
GB1
2.5" -- 10,000 RPM SAS硬盤，容量規(guī)格為146 GB、300
GB1、600 GB1、900 GB1、1.2 TB1和1.8 TB
2.5" -- 7,200 RPM近線SAS硬盤，容量規(guī)格為500
GB1、1 TB1和2 TB
2.5" -- 固態(tài)硬盤，容量規(guī)格為200 GB、400 GB、800
GB (WI)；400 GB、800 GB、1.6 TB (MU)；800 GB、1.6 TB (RI)（裝在3.5"硬盤托架中）
MD3060e
3.5" -- 7,200 RPM近線SAS硬盤，容量規(guī)格為500 GB、1 TB1、2 TB1、3 TB1、4 TB1、6 TB和8 TB
2.5" -- 15,000 RPM SAS硬盤，容量規(guī)格為146
GB1、300 GB1、600 GB1
2.5" -- 10,000 RPM SAS硬盤，容量規(guī)格為146 GB、300
GB1、600 GB1、900 GB1、1.2 TB1和
1.8 TB
2.5" -- 7,200 RPM近線SAS硬盤，容量規(guī)格為500
GB1、1 TB1和2 TB
2.5" -- 固態(tài)硬盤，容量規(guī)格為200 GB、400
GB、800 GB (WI)；400 GB、800 GB、1.6 TB (MU)；800 GB、1.6 TB (RI)（裝在3.5"硬盤托架中）
請參閱Dell PowerVault MD系列支持表。該表概述了對PowerVault MD 34xx/38xx系列RAID控制器固件版本08.20.09.60的支持。
擴展能力2
通過MD3400和MD3420陣列上的MD1200/MD1220擴展盤柜，最多可擴展至192個硬盤
通過MD3460陣列上的MD3060e擴展盤柜，最多可擴展至180個硬盤
? 熱插拔控制器
MD34x0和MD38x0x控制器與前代陣列（MD32x0x和MD36x0x）不兼容。
單控制器型號：
MD3400/MD3420： 直接將最多兩臺高可用性(HA)配置服務(wù)器或八臺非HA配置服務(wù)器連接到單個MD3400或MD3420存儲系統(tǒng)。提供4
GB高速緩存控制器。
雙控制器型號：MD3400/MD3420/MD3460
直接將最多四臺HA配置服務(wù)器或八臺非HA配置服務(wù)器連接到單個SAS存儲系統(tǒng)。提供可選的4 GB或8 GB高速緩存控制器。
MD3060e包含兩個熱插拔盤柜管理模塊(EMM)
控制器特性
每個控制器提供四個12 Gbps SAS端口(MD3400/MD3420/MD3460)；雙控制器型號總共8個端口
每個控制器均包含4 GB或8 GB電池后備高速緩存
雙控制器在主動-主動環(huán)境中運行，相互鏡像對方的高速緩存
通過閃存提供高速緩存保護，實現(xiàn)永久數(shù)據(jù)保護
動態(tài)磁盤池(DDP)3在優(yōu)化數(shù)據(jù)保護的同時，消除了對復(fù)雜的RAID管理的需求，并可以與現(xiàn)有RAID配置配合使用
MD3460高密度陣列需要使用雙控制器
RAID
支持RAID級別0、1、10、5和6
在RAID 0、10中，每組最多包含180/1924個物理磁盤
在RAID 5、6中，每組最多包含30個物理磁盤
最多包含512個虛擬磁盤
DDP3
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